快走絲報(bào)價(jià)單,相對(duì)于X-射線,電子束由于具有更短的波長(zhǎng)以及更強(qiáng)的衍射,因此電子衍射SAED應(yīng)用于納米晶體的結(jié)構(gòu)分析具有特別的意義,透射電鏡不僅可對(duì)納米晶體進(jìn)行高分辨成像而且可進(jìn)行電子衍射分析,已成為納米晶體材料不可或缺的研究方法,包括判斷納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方向、解析納米晶體的晶胞參數(shù)及原子的排列結(jié)構(gòu)等。
快走絲報(bào)價(jià)單,應(yīng)用方向:判斷已知納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方向,具體的方法是:首先拍攝形貌像,并且在同一位置做電子衍射,在形貌像上找出優(yōu)勢(shì)生長(zhǎng)面,與電子衍射花樣對(duì)照,找出與透射斑連線垂直于此晶面的透射斑,并進(jìn)行標(biāo)定,根據(jù)晶面指數(shù)換算出生長(zhǎng)方向。
快走絲報(bào)價(jià)單,晶帶正空間與倒空間對(duì)應(yīng)關(guān)系圖,某金屬氧化物一維納米線的透射電鏡及電子衍射圖,手動(dòng)解析納米晶體的晶體結(jié)構(gòu)參數(shù),此種方法需要手動(dòng)傾轉(zhuǎn)樣品,兩個(gè)方向配合轉(zhuǎn)到正帶軸,快走絲報(bào)價(jià)單,在旋轉(zhuǎn)過程中要將樣品移回原位,因此需要操作者有足夠的經(jīng)驗(yàn),而且要花費(fèi)一定的時(shí)間,對(duì)于不耐電子束輻照的樣品如有機(jī)晶體很難得到足夠多的正帶軸的電子衍射花樣。